1：因为有较高的电离和分解程度，由于化学性刻蚀的工作方式，可实现对衬底的损伤较低的效果。
2：由于电子、离子与中性气体的比例非常高，温度维持在较低的范围内，整体的温度较低。
3：避免了静电积累对半导体器件造成的击穿或电荷注入问题
4：电离程度较高，离子密度高，去胶效果差的问题
5：对金刚石(高硬度、化学惰性)和氧化镓(表面易钝化)等难处理材料，通过优化等离子体活性粒子(如0+、F+)的比例，实现高效去胶且表面活化
