用CVD-CuON和等离子还原Cu种子层铜种子层必须具备保形台阶覆盖、强附着力和平滑特性

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Ta底层上CVD-Cu的岛状生长

铜在钌表面具有较高的润湿性，但由于存在岛状生长现象，需超过20纳米才能形成连续薄膜。

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窄沟槽中表面活性剂催化CVD Cu和CuMn

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Motivation

要点

共形沉积的氮化锰可作为阻挡层/粘附层

碘作为表面活性剂催化剂促进铜和锰的生长

在窄沟槽中实现无气泡自下而上填充铜或铜锰合金，氩气比（AR）最高可达5：1

退火后锰元素从铜表面扩散，显著提升铜/绝缘体界面的粘附性能与阻隔特性

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    铜的化学气相沉积

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